转换效率最高，技术也最为成熟。高性能单晶硅电池是建立在高质量单晶硅材料和相关的成热的加工处理工艺基础上的。

　　现在单晶硅的电地工艺己近成熟，在电池制作中，一般都采用表面织构化、发射区钝化、分区掺杂等技术，开发的电池主要有平面单晶硅电池和刻槽埋栅电极单晶硅电池。

　　提高转化效率主要是靠单晶硅表面微结构处理和分区掺杂工艺。采用光刻照相技术将电池表面织构化，制成倒金字塔结构。并在表面把一13nm凯时kb88娱乐登录。厚的氧化物钝化层与两层减反射涂层相结合．通过改进了的电镀过程增加栅极的宽度和高度的比率：通过以上制得的电池转化效率超过23％，是大值可达23．3％。

　　Kyocera公司制备的大面积（225cm2）单电晶太阳能电池转换效率为19．44％，国内北京太阳能研究所也积极进行高效晶体硅太阳能电池的研究和开发，研制的平面高效单晶硅电池（2cm X 2cm）转换效率达到19．79％，刻槽埋栅电极晶体硅电池（5cm X 5cm）转换效率达8．6％凯时kb88娱乐登录凯时kb88娱乐登录。

　　单晶硅太阳能电池转换效率无疑是最高的，在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位凯时kb88娱乐登录，虽然其转换效率高，但是制作单晶硅太阳能电池需要大量的高纯度硅材料，且工艺复杂，电耗很大池工艺影响，且太阳能电池组件平面利用率低，致使单晶硅成本价格居高不下。要想大幅度降低其成本是非常困难的。

　　为了节省高质量材料凯时kb88娱乐登录，寻找单晶硅电池的替代产品，现在发展了薄膜太阳能电池，其中多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池就是典型代表。凯时kb88娱乐登录斜视未熔合非晶硅太阳电池铁电陶瓷