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  • 高通骁龙6 Gen1参数曝光基于4nm工艺打造!

    高通骁龙6 Gen1参数曝光基于4nm工艺打造!

    去年,高通正式推出了骁龙8Gen1以及骁龙7Gen1处理器,都是基于4nm打造的全新手机芯片,主要针对旗舰以及中端手机市场,但碍于猪队友三星4nm工艺的不成熟,导致这两款芯片在市场上并不受待见,而骁龙7Gen1更是只出了两款机型。 但最新消息显示,高通或有意开...

    24-02-20
  • 高通骁龙 6 Gen 1 参数详情页流出:4nm 工艺支持 5G

    高通骁龙 6 Gen 1 参数详情页流出:4nm 工艺支持 5G

    现在看来,高通公司似乎正在开发一款新的基于 4 纳米的低端芯片组,将接替骁龙 600 系列芯片组。可靠消息人士 Evan Blass(@evleaks)今天分享了即将推出的骁龙 6 Gen 1 移动平台的参数详情页,其完整规格和功能曝光, 根据泄漏的信息,骁龙 6 Gen 1 将基于...

    24-02-20
  • 最新文章-让技术变得更有价值-电子发烧友网

    最新文章-让技术变得更有价值-电子发烧友网

    电子发烧友网报道(文/刘静)近日,上市委对大明电子沪主板IPO开展上会审核,现场主要问询大明电子股权集中、前期违法违规整改等问题。审议最终结果显示,大明电子成功通过审核,符合发行条件、上市条件和信息披露要求。 招股书显示,大明电子的实际掌舵人是...

    24-02-20
  • IGBT双脉冲仿真—脉冲宽度、负栅极电压、发射极寄生电

    IGBT双脉冲仿真—脉冲宽度、负栅极电压、发射极寄生电

    地磁场基区宽度调制凯时kb88官网首页波分脉冲形状鉴别器开始通过沟道注入到基区,同时背面的集电极开始向基区内注入空穴,集电极开始产生电流 c)阶段3(t2t3):在t2时刻,IC=IL,流过续流二极管的电流降低至0,二极管内部载流子开始复合。 d)阶段4(t3t4):续...

    24-02-20
  • 骁龙7 Gen3详细规格曝光 台积电4nm工艺制程

    骁龙7 Gen3详细规格曝光 台积电4nm工艺制程

    近日,有关高通骁龙7 Gen3芯片的详细信息被曝光。据悉,这款新芯片采用了台积电的4nm先进制程技术,并且其架构设计与骁龙7+ Gen2相似。骁龙7 Gen3的CPU部分由12.63GHz、32.4GHz和41.8GHz组成,大核为Arm Cortex-A715,同时集成了Adreno 720 GPU。然而,与骁...

    24-02-20
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